温度変化を短時間に繰り返すことによる劣化性の確認
試験可能温度： 高温 +60～+200℃／低温 -70～0℃

急激な温度変化による劣化性の確認
試験可能温度： 高温 +70～+150℃／低温 -65～0℃

温度・湿度加速による劣化性確認
温度範囲： -40～+150℃
湿度範囲： 20～98%RH（設定温度に制限あり）

急激な温度変化と湿度による劣化性確認
温度範囲： -70～+180℃、温度変化速度：15℃/分
湿度範囲： 10～98%RH（設定温度に制限あり）

温度・湿度加速による劣化性確認（低温・低湿可）
温度範囲： -20～+100℃
湿度範囲： 10～95%RH（設定温度に制限あり）

温度による劣化性の確認
温度範囲： +40～+250℃

高圧・高湿度による劣化性調査
温度範囲 ： +105～+142.9℃
湿度範囲 ： 75～100%RH
圧力範囲 ： 0.020～0.196MPa

温度変化による劣化性の確認
基板サイズ： 最大W250 x L330、最小W 50 x L50mm
加熱ゾーン数： 7

振動による劣化性調査
振動周波数 ： 10～3,000Hz
Max 加速度 ： 980m/s²
Max 搭載質量 ： 200kg

温湿度と振動の環境ストレスによる複合環境試験
温度範囲 ： -40～+150℃
湿度範囲 ： 20～98%RH（設定温度に制限あり）
振動周波数 ： 10 ～ 2,500Hz

微振動（ハンマー型打撃）による劣化性調査
衝撃加速度範囲 ： 90～150G
加振周期 ： 0.5／1.0／1.5／2.0s

腐食性ガス環境下での劣化性調査
使用ガス： H₂S、SO₂、NO₂、Cl₂
槽内容積： W500 x D500 x H700mm

JASO M609,M610に沿う、塩水噴霧と乾燥・湿潤サイクルの複合条件による劣化性調査
槽内容積：W850 × D800 × H1030

減圧環境下での密閉度調査
試験可能温度： +40～+200℃
圧力： 5～933hPa

カーボンアーク灯光による紫外線照射で、製品・材料の劣化性を確認
サンシャインカーボンアーク 78時間連続照射
試料サイズ： W150 x D70 x H1mm、最大70枚

太陽光に近似した高照度の紫外線照射で、製品・材料の劣化性を確認
7.5kW 水冷式キセノンランプ、照射照度：60～180W/m²
試料サイズ： W150 x D70 x H1mm、最大51枚

雷サージ耐量評価（IEC61000-4-5 準拠）
サージ波形： コンビネーションウェーブ（1.2us／50us、8us／20us）

ESD耐量評価（IEC61000-4-2 準拠）
Max 印加電圧 ： ±30KV（150pF、330Ω）

内部配線の断線、内部クラック有無の調査
最大試料サイズ： W470 x D420 x H100mm
最大試料重量： 5kg

大型の試料を非破壊で部品レベルまでX線透視可能
最大試料サイズ： W1,100 x D600 x H500mm
最大試料重量： 10kg

傾斜型CTによる断面観察
最大試料サイズ： W460 x D410 x H120mm
最大試料重量： 5kg

非接触で段差、幅、角度等を高速で測定
最大測定範囲： 200 x 100mm

非接触で大型構造物の段差、幅、角度等を高速で測定、回転ステージで360°全周スキャン可能
最大測定範囲： 縦 500mm x 横 500mm x 高さ 200mm
最大重量：50kg

内部剥離有無の調査（反射／透過像観察可）
保有プローブ： 10 ～ 300MHz
観察可能範囲： 307 x 307mm
最小ゲート幅： 1ns

含有元素分析
最大試料サイズ： W500 x D350 x H85mm
最大試料重量： 2kg
分析可能範囲： 200 x 200mm

電子部品やプリント基板の電流リークによる発熱箇所を非破壊で特定
最大試料サイズ： W450 x D450 x H56mm
最大試料重量： 10kg

部品の温度測定、温度分布の可視化による調査
測定温度範囲： -40℃～+1,500℃
温度分解能： 0.04℃（30℃にて）

高速撮影とスローモーション再生による高速現象の調査
最高録画速度： 1,000fps（1,024 x 1,024）
感度： 6,000 ISO（モノクロ）、2,000 ISO（カラー）

レーザーによる封止樹脂の除去
搭載可能試料サイズ： W397 x D170 x H20mm
加工可能領域： 最大 50 x 50mm

半導体の保護膜除去
反応ガス： CF₄、O₂

観察試料作製（ICパッケージ断面／コネクタ／基板ほか）

断面の加工・SEM／SIM観察、結晶粒の観察
SEM／AES の分析観察断面の作製
TEM の試料作製、配線加工など

微小重量の測定（IC吸湿量など）
ひょう量： 120g、最少分解能： 0.1mg、最大試料： φ80mm

外観観察
観察倍率： 10～80倍

外観観察
観察倍率： 50～1,000倍

外観観察、寸法測定、深度合成撮影、表面観察
観察倍率： 150～3,000倍

外観観察、超深度形状測定
高さ方向最小分解能 0.01μm

二次電池の安全性評価
内部短絡（釘刺し試験）、外部短絡、温度(-40～+100℃)、外圧（圧壊試験）

挿抜力・押下力、引張・外圧耐力の測定
測定可能力： 0.1～500N

ボンディングワイヤーのプルテスト、シェアテスト
可動範囲(X,Y,Z)： 70 x 70 x 190mm
プルテスト： 50～800g
シェアテスト： 800g／8kg

電気部品測定時のパルス印加
周波数範囲：1Hz～50MHz（最大振幅 32Vpp）、
　　　　　　100uH～15MHz（最大振幅 10Vpp）

電気部品測定時の入力波形印加（任意波形の作成）
最高クロック： 1GHz
最大振幅： 2Vpp

Keysight MSO-X 3104A 1GHz 5Gsa/s
アクティブプローブ：1GHz 1MOhm 1pF
電流プローブ：DC-20MHz 150Arms, 30A/50MHz
※上記に限らず複数所有

受動素子の測定
周波数： 40Hz～110MHz
試料サイズ： SMD2電極タイプ 0603～、IMD、他

高周波ノイズ耐量評価（所有Equipment ：INS-4040）
出力電圧 ： 0.01～4KV±10％、出力極性：正／負
パルス幅 ： 10ns、50ns～1us（50nsステップ）

ROMの各種特性の測定、機能検査

ロジック回路の動作解析
サンプリングレート： 最大250MHz／48ch、125MHz／96ch

被測定回路の利得、位相特性の測定
周波数範囲：正弦波 0.1mHz～15MHz、分解能 0.1mHz
AC振幅： 0～10Vpeak、DCバイアス： -10V～+10V

被測定回路の伝播特性の測定
印加可能周波数： 9KHz～6.5GHz
シングルエンド／ディファレンシャル測定可能、
タイムドメイン反射測定(TDR)機能あり

ケーブルの電気試験
導体試験の判定値： 約1KΩ
瞬断試験の検出時間： 1μS
絶縁抵抗試験の判定範囲：10～990MΩ（試験電圧DC100～500V）
耐圧試験： AC50～600V

接触部品等の瞬断評価
最小瞬断幅： 500ns～100ms
測定可能数： 10ch

コネクターの接触抵抗評価など連続監視による劣化性調査
測定可能数： 120ch
抵抗測定範囲： 10uΩ～100KΩ

絶縁耐圧評価
印加電圧 ： 0V～10kV（電圧変動率15%以下）
最大定格出力 ：AC500VA(10kV／50mA)、DC50W(10kV／5mA)

基板、ケーブルの測定
測定範囲： 1.0E+03～1.6E+16Ω
測定電圧： DC0.1V～1,000V

基板、ケーブルの測定
測定範囲： 10uΩ～100kΩ
測定電流： 1uA～10mA

色の測定
測定径：φ3mm／φ8mm／φ30mm（反射測定）、
　　　　φ20mm（透過測定, 厚み60mmまで）
DIN5033 Teil7、JIS Z 8722 条件c、ISO7724/1、CIE No.15、ASTM E 1164準拠

試料（LED等の発光体）が放射する光のスペクトル分布を測定
測定波長範囲：380～780nm
測定距離：350mm～（対物レンズ金物先端からの距離）

試料の光沢指標（光沢度、曇り度、写像性、BRDF）を同時測定
測定レンジ：0～2000GU（照射角度20°時）

試料を通過する全光線に対する拡散光の割合（ヘーズ値）を測定
最大試料サイズ： W260 x D145 x H25mm

外観観察、超深度形状測定
高さ方向最小分解能 0.01μm

無蒸着で、形態観察可能、破面解析
分解能 3.0nm

5～10万倍の形態観察と定性定量分析
分解能 3nm、EDX装置付 B～U分析

ナノメータ 素子の平面および断面構造観察
200kV、最高倍率 400万倍、格子像観察可
電子線回折可、EDX元素分析　C～Bi

断面の加工・SEM／SIM観察、結晶粒の観察
SEM／AES の分析観察断面の作製
TEM の試料作製、配線加工など

表層部と深さ方向の元素分析（1at%オーダー）
高精細元素マップ可、低速イオン照射可
最小プローブ10nmφ、Li～U 分析

表層部と深さ方向の元素／状態分析
状態分析マップ可、最小プローブφ9μm、Li～U分析
モノクロAl走査型X線、Ar／C60イオン銃

元素分析（ppmオーダー）、O～U 分析、マッピング測定
分析領域:φ1mm～φ30mm
サンプルサイズ:最大φ400mm×50mm

アニオン・カチオンの定性定量分析 （数10ppb～ppm）
サプレッサ式、温度範囲 室温～80℃
電気伝導度検出範囲 0.01～3000μs

顕微・ATR・反射・偏光機能付、有機材料の構造解析
分解能0.5cm^-1、波長範囲 7000～400cm^-1

溶剤・ガスの構造解析、有機材料の構造解析

イオンマイグレーションの連続監視による劣化性調査
印加電圧： 最大100V
絶縁抵抗測定範囲： 10E+05Ω～10E+14Ω
最大9,999時間、64ch 測定可能

コネクターの接触抵抗評価など連続監視による劣化性調査
測定可能数： 120ch
抵抗測定範囲： 10uΩ～100kΩ

連続電圧印加、電流監視が必要な信頼性試験が可能
　例）マイグレーション評価

電流印加による熱ストレスサイクル試験が可能
　例）基板パターン評価

TOPCON製BM5A、3D表示出力(輝度、色度)、ムラ率等の自動算出機能810ポイント自動測定（X方向30分割、Y方向27分割）μm単位で分割距離を設定可

液晶ディスプレイパネル、タッチパネル表面の強度測定、筆記・打鍵寿命
（加圧力(重量)、方向、回数などカスタマイズ調整可能）
※コネクタ挿抜試験、ボタン/スイッチなどの寿命試験など水平、上下方向の繰り返し動作による評価などへの流用も可能ですのでご相談ください

引張試験、圧縮試験、曲げ試験、せん断試験、剥離試験など、破断発生時の力を高精度で検出
・最大試験力：1000N
・試験スピード：0.1 mm/min、0.5 mm/min、1 mm/min ～ 500 mm/min

鉛電池メーカ推奨の満充電判断
劣化診断機能搭載

バッテリーの充放電サイクル試験等が可能です
・カスタマイズにより（任意の）仕様設定可能
・プログラム設定による自動サイクル試験可能

二次電池の安全性評価
外部短絡、温度　(-40～+100℃)
内部短絡（釘刺し試験）、 外圧（圧壊試験）

ケーブルの電気試験
導体試験の判定値： 約1KΩ
最小瞬断幅（瞬断試験の検出時間）： 200ns～3μs
絶縁抵抗試験の判定範囲： 10～990MΩ（試験電圧DC100～500V）
耐圧試験： AC50～600V

接触部品等の瞬断評価
最小瞬断幅（瞬断試験の検出時間）： 500ns～100ms
測定可能数： 10ch

引張試験、圧縮試験、曲げ試験、せん断試験、剥離試験など、破断発生時の力を高精度で検出
・最大試験力：1000N
・試験スピード：0.1 mm/min、0.5 mm/min、1 mm/min ～ 500 mm/min

ROMの各種特性の測定、機能検査
・プログラムのリード/ライト/イレーズ繰り返しによる不良確認
・高温環境下での繰返し書込み限界試験
・データ保持特性の確認　など

テストおよびパフォーマンス測定
ライト・リード／リードディスターブ／エンデュランス試験
データコンペア／パーテーションテーブルの状態確認
速度パフォーマンス測定、S.M.A.R.T.属性値取得