不具合発生状況（故障症状、頻度、製造工程の異常有無、ユーザー使用環境など）の情報をいただきます。
お客様からの情報を基に、まずは解析事例から故障原因を推定し、最適な解析方法をご提案します。
※お客様がご納得の上、ご指示頂けるまで作業は開始致しません。

電気特性の確認

外観観察と電気特性（IV特性など）の測定を行います（非破壊）。
これにより被疑箇所やメカニズムを推測します。

IV特性確認

正常品と故障部品のIV特性を比較することで、特性異常を確認。
特定端子のオープン傾向を検出。

TDR確認

ネットワークアナライザーを使用し、正常品と故障部品のTDR比較で波形の差異を確認。
差異の位置（白丸部、横軸は時間）から、オープン箇所を推定。
※TDR（Time Domain Reflectometry：時間領域反射）

異常箇所・内部構造の確認

推測に基づき、非破壊手法による観察を行い異常個所を絞り込みます。

赤外線ロックインサーモグラフィー

発熱画像と実際のイメージを重ね合わせることで、容易に故障個所を特定。
ショート傾向が確認されたIC部品をロックイン赤外線解析装置を用いて解析。
IC部品のサブストレート基板に発熱部を検出し、ショート箇所を特定。

 
3D-X線透視解析

X線による透視像とサンプルを回転・合成させた3次元像(CT)により、断層像と、3次元像による確認が可能。
3次元像での正確な寸法測定ができるほか、接合部の剥離等が検出できるケースもある。

超音波探傷（C-SAM, SAT）

部品内部の構造や異常個所を超音波で観察する。
ICパッケージ内の樹脂剥離、部品の接合部の均一性（写真上）、張り合わせ部品の未着箇所（写真下）、
アルミダイキャストの巣など、空洞となっている箇所を検出可能。

異常個所の観察

内部構造確認、異物分析

特定した故障箇所の詳細調査のため、パッケージ開封（デキャップ）、
切断（断面研磨、平面研磨、試料調整）を行い、内部構造を確認します。
異物分析を行うこともあります。

光学顕微鏡による観察

故障部品のパッケージ樹脂を酸により除去し、光学顕微鏡にてチップを観察。
チップ表面の剥離（変色部分）と推定。

パッケージ開封後のSEM観察

配線層にダメージを与えない為にレーザーオープナーにより樹脂を除去。
SEM観察によりサブストレート基板配線の断線を確認。

断面研磨加工後のSEM観察

故障箇所の断面研磨を行い、SEM観察を実施。
パッケージ樹脂とサブストレート基板間にクラックが確認され、
機械的なストレス印加による配線の断線と推定。

透過型電子顕微鏡（TEM）

電解Niめっき上半田接合部に対しTEM分析を実施、微細なカーケンダボイド、
Sn相中にNi3Sn4金属間化合物を確認。
Sn相の硬さ変化によりクラックが発生しやすくなる可能性有。

オージェ電子分光装置（AES）

実装不良が発生。正常・不良半田ボールをAES深さ方向分析で比較。
半田ボールB（不良）は、半田ボールA（正常）より酸化膜が厚く成長。
実装不良の発生はこれが原因と推測。

一連の作業終了後に報告書をご提出します。

報告書は、解析結果だけを記載しているものではありません。
発生メカニズムや問題解決に向けた施策等、お客様のご要望に応じます。

※ご要望により、解決に至るまで徹底的にサポートさせて頂きます。
別途費用が発生する場合がございます。