サービス概要
半導体故障解析・ナノ構造分析ソリューション
～最先端電子顕微鏡技術で、次世代デバイスの歩留まりを最大化～
EAGは、SEM・TEM・FIBなどの高度な電子顕微鏡技術を軸に、半導体デバイスの構造解析・故障解析をトータルにサポートします。ロジックIC、メモリ（NAND / DRAM）、パワー半導体（SiC / GaN）、イメージセンサなど、各デバイス特有の課題に対し、原子レベルの解析データで解決策を提示します。
高度な解析テクノロジー
- 超高分解能構造観察（TEM / SEM / FIB）： FIB-SEMによる特定箇所加工から、ナノマテリアルの膜厚均一性・微細構造評価まで迅速に実施。
- 欠陥・異常箇所の特定（OBIRCH / Emission / IR）： 漏れ電流パスの発光解析や赤外線熱解析により、微細なショート箇所や電気的異常をピンポイントで特定。
- ナノ物性・組成マッピング（SCM / sMIM / EDS）： 走査型静電容量顕微鏡（SCM）によるキャリア分布測定や、原子レベルの元素マッピングに対応。
対象デバイス例
- 先端ロジック・メモリ： 3D構造の形状測定、コンタクト不良解析
- パワーデバイス（SiC / GaN）： 結晶欠陥評価、トレンチ構造解析
- 光・イメージセンサ： 画素部断面観察、カラーフィルタの組成分析
- 車載・通信用デバイス： 長期信頼性試験後の故障原因特定
サービス一覧
電子顕微鏡分析
故障個所の位置特定解析
- OBIRCH（オバーチ）
- Emission（EL：エミッション）
- IR（赤外顕微鏡 / 熱解析）
アトムプローブ分析
走査プローブ顕微鏡分析
非破壊解析
- 3D-XCT / 2D-XRAY（三次元X線CT解析 / 透過X線解析）
- C-SAM（超音波顕微鏡解析）
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