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SMARTチャートは、分析手法を比較する為の簡潔で視覚的なリファレンスを提供します。
AFM / SPM(原子間力顕微鏡)は、非常に鋭い針の先で物質の表面をなぞることで、目には見えないミクロからナノ領域を3D画像として描き出す技術です。原子ひとつひとつが見えるほどの高い精度で表面の形を捉えるだけでなく、磁石の性質(磁気)や滑りやすさ(摩擦)といった目に見えない物理的な性質も、立体画像として「見える化」することができます。
※各分析手法の分析深さはSMART Chartからご覧いただけます。
| 分析モード | 特徴 |
|---|---|
| STM (走査型トンネル顕微鏡) |
先鋭な探針の先端と試料表面間に流れるトンネル電流を計測することで、原子スケールオーダーで表面形状の3次元画像情報を得ることができる。トンネル効果を利用したものなので、絶縁性試料には適さない。Wや Pt-Irなどの金属性の探針が用いられる。 |
| AFM (原子間力顕微鏡) |
AFMは、カンチレバー(板バネ)の先にある鋭い探針と試料の間に働く「原子間力」を検出し、表面の凹凸を3次元的に画像化。
|
| MFM (磁気力顕微鏡 ) |
磁性膜をコートした探針を振動させながら試料表面を走査し、試料磁界との磁気的作用によるカンチレバーの振動や位相変化からにより磁気力を画像化する手法である。 |
| KFM (ケルビン力顕微鏡) |
導電性プローブを振動させながら試料と探針間に交流電圧を印加し静電引力によるカンチレバーの変位を調べて表面電位の変化を調べる手法である。ノンコンタクトモードが使用される。 |
| FFM (摩擦力顕微鏡) |
カンチレバーで試料を走査した際に、試料と探針間に働く摩擦力によってカンチレバーにねじれが生じることを利用して、摩擦力を画像化する手法である。コンタクトモードが使用される。形状ではわからない硬さなどの材質の違いがわかる。 |
| SCM (走査型静電容量顕微鏡) |
極薄酸化膜が形成されている半導体表面に導電性プローブを接触させ、交流電圧を印加して静電容量の変化を調べることでキャリア分布の二次元分布を得る手法である。 |
| SSRM (走査型広がり抵抗顕微鏡) |
半導体表面に導電性プローブを接触させ、バイアス電圧を印加することによって得られる電流を調べることで抵抗分布を得る手法である。抵抗値からキャリア分布の二次元分布が得られる。SCMより更に微小な領域の測定が可能で、直接電流を測定するのでキャリア濃度としての精度が高い。 |
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