サービス概略
次世代半導体（GaN / SiC）結晶構造解析ソリューション
～ナノスケールの歪み・欠陥解析でデバイス性能を極限まで引き出す～
GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）といったワイドバンドギャップ半導体の性能向上には、ナノレベルでの結晶性評価が欠かせません。EAGは、原子配列の直接観察から広域の結晶方位解析まで、多角的なアプローチでデバイス開発の加速と歩留まり改善を支援します。
高度結晶解析ラインナップ
- XRD（X線回折）： 格子定数の精密測定、エピタキシャル層の歪み（ストレイン）・組成評価。
- EBSD / PED（電子回折解析）： 結晶方位マッピングや粒界解析。特に高分解能なPED（プリセッション電子線回折法）により、微細領域の結晶歪みを可視化。
- TEM / STEM（透過型電子顕微鏡）： 原子配列の直接観察により、転位、積層欠陥、異材界面の整合性をナノ～原子レベルで特定。
- 物理物性評価： 結晶欠陥と電気的特性の相関分析、プロセス由来のダメージ評価。
対応デバイス・材料例
- 次世代パワー半導体： SiC / GaN SBD・MOSFETのトレンチ構造、ゲート絶縁膜界面
- 高周波デバイス： GaN-on-Si / GaN-on-SiCの格子整合性・転位密度評価
- 新材料・ウェハ： 化合物半導体のエピ成長最適化、バッファ層の結晶性評価
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結晶性・構造解析
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