TXRF｜全反射蛍光X線分析
分析概略
TXRF（全反射蛍光X線分析）とは
TXRF（Total Reflection X-Ray Fluorescence）は、半導体ウエハ表面の極微量な金属汚染を非破壊で分析する手法です。
入射X線を全反射の条件（非常に浅い角度）で照射することで、基板（バルク）からの散乱背景を極限まで抑え、表面に存在する重金属などの汚染物質のみを高感度に検出します。
半導体製造プロセスにおけるTXRFの重要性
デバイスの微細化・高集積化が進む現代の半導体製造において、ウエハ表面のわずかな金属汚染は、デバイスの歩留まりや信頼性に直結する重大な問題です。TXRFは、以下のようなシーンで不可欠な分析ソリューションを提供します。
- 洗浄工程の評価: 洗浄後の残留金属（Fe, Ni, Cu, Zn等）のモニタリング。
- 製造装置の汚染管理: 成膜、エッチング、イオン注入等の装置由来の汚染確認。
- ウエハ受入検査: 原材料としてのシリコンウエハの清浄度確認。
ユーロフィンのTXRF分析サービスの強み
当社では、世界最高水準の分析環境と技術により、お客様の製品開発と品質管理をサポートします。
最大300mmウエハの全自動測定に対応
100mmから300mmまでの各種ウエハサイズに柔軟に対応します。大型ウエハの全面マッピング測定も可能です。
クリーンルーム（クラス10）内での分析
分析環境そのものによる二次汚染を徹底排除するため、クラス10の高度なクリーンルーム内に装置を設置。超微量分析において極めて重要な「環境の清浄度」を担保しています。
非破壊・非接触分析 / 高感度な検出下限
用途事例
当社では、標準的なシリコンウエハから次世代パワーデバイス用の化合物半導体まで、幅広い材料の表面金属汚染評価に対応しています。
多彩なウエハサイズに対応（50mm〜300mm）
- 対応サイズ: 2インチ（50mm）、3インチ、100mm、150mm、200mm、300mm
（厚み：2㎜まで）
化合物半導体・新材料ウエハの評価
- ワイドバンドギャップ半導体: GaN（窒化ガリウム）、SiC（炭化ケイ素）、AlN（窒化アルミニウム）
- 通信・光学デバイス材料: GaAs（非化ガリウム）、InP（リン化インジウム）、GaP（リン化ガリウム）
- 基板材料: Sapphire（サファイア）、Ge（ゲルマニウム）、SiGe（シリコンゲルマニウム）
Si（シリコン）ウエハの高度評価
- ベアウエハの受入検査
- 各種プロセス（成膜、エッチング、洗浄）前後の表面清浄度確認
原理/特徴
特徴
- 定性・定量・高感度・非破壊分析
- ～300mmウエハ対応
- 2次元マッピング対応
- Al、NaおよびMgが測定可能
- ウエハのエッジ部も測定可能
制約
- 深さ情報（Depth profile）は取得できない
- 分析スポット：Φ10mm
- 高感度分析：研磨された表面が必要
- 取得元素によっては基板から発生したマトリックス元素の影響を受ける
検出原理
分析ビーム選択と検出下限
