Wafer Analysis|ウエハ分析サービス

サービス概略

次世代デバイスの歩留まり向上を加速させる、ウエハ表面分析ソリューション

半導体デバイスの微細化・高積層化が進む中、わずかな汚染が製品の信頼性を左右します。弊社は、最大300mmウエハーに対応した最先端の分析プラットフォームにより、製造プロセスの最適化と品質管理を強力にサポートいたします。

 

【ユーロフィンEAGの強み:高精度・多角的な分析アプローチ】

  • 極微量金属汚染の可視化
    TXRF(全反射蛍光X線分析)による非破壊での迅速分析や、VPD-ICP-MSを用いた超高感度な定量分析に対応。
  • 多面的な表面評価
    金属成分のみならず、デバイス特性に悪影響を及ぼす有機物汚染の同定や、微細な表面形状評価までワンストップで受託いたします。
  • 最大200mmのリロケーション対応 / KLA座標連動による効率的評価
    KLAの外観検査装置で検出されたパーティクル座標データを取り込み、同一箇所をAES(オージェ電子分光)で精密分析。ターゲット欠陥を逃さず、迅速な原因究明を可能にします。

 

 

サービス一覧

最大300㎜対応サービス

金属汚染分析

  • TXRF( 全反射蛍光X線分析)
  • VPD-ICP-MS(気相分解法型誘導結合プラズマ質量分光分析)

 

有機汚染分析

  • TOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析)

 

元素分析

  • XRF(蛍光X線分析)

 

結晶・構造解析

  • XRD(X線回折法)

 

薄膜分析

  • XRR(X線反射率法)
  • RBS / HFS(ラザフォード後方散乱/水素前方散乱分析)

 

微小形状分析

  • AFM / SPM(原子間力顕微鏡/走査型プローブ顕微鏡)

 


最大200㎜対応サービス

微小パーティクル分析

  • AES(オージェ電子分光法)

 

 

お問い合わせはこちら

Materials Testing Services