分析概略

AES（Auger Electron spectroscopy : オージェ電子分光法分析）は検出深さが10nm程度と非常に浅いため、数10nm程度の極小異物を分析をすることが可能です。また、検出された元素のマッピング分析・スパッタイオンガンを併用した元素の深さ方向分析・FIB加工を併用した断面分析なども行えます。
当社ではさまざまなAES分析装置を所有しています。

最大200mmのリロケーション対応 / KLA座標連動による効率的評価

KLAの外観検査装置で検出されたパーティクル座標データを取り込み、同一箇所をAES（オージェ電子分光）で精密分析。ターゲット欠陥を逃さず、迅速な原因究明を可能にします。

※各分析手法の分析深さはSMART Chartからご覧いただけます。

用途事例

• 検出深さが浅い(10nm程度)ため試料表面の元素分析
• 微細ビームによる異物等の微小領域の元素分析
• サブモノレイヤー分析（EDSでは分析できない極薄膜の分析）
• 金属多層膜などの深さ方向分析（スパッタ銃イオンガンを併用） 

原理 / 特徴

AESは電子線を細く絞り試料表面に照射した際に、表面から発生するオージェ電子のエネルギーを測定することで元素の種類と量を同定する手法です。

深さ方向分析（スパッタイオンガン併用）

オージェ電子の検出深さは浅いためスパッタイオンガンを併用することにより深さ分析が可能

• 最大200mmのリロケーション対応 / KLA座標連動による効率的評価

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