Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)는 매우 낮은 농도의 불순물과 불순물을 검출합니다. 이 기술은 몇 옹스트롬(Å)에서 수십 마이크로미터(µm)까지의 넓은 깊이 범위에 걸쳐 원소 깊이 프로파일을 제공합니다. 샘플 표면은 XNUMX차 이온 빔(보통 O2+ 또는 Cs+) 스퍼터링 과정에서 생성된 XNUMX차 이온을 추출하여 질량 분석기(XNUMX중극자, 자기 섹터 또는 비행 시간)를 사용하여 분석합니다. XNUMX차 이온의 농도 범위는 매트릭스 수준에서 하위 ppm 미량 수준까지 다양합니다.

EAG는 SIMS 분석을위한 업계 표준이며, 정확한 농도 및 층 구조 식별과 함께 최고의 검출 한계를 제공합니다. SIMS 분야의 연구 개발에 대한 EAG의 경험과 노력의 깊이와 범위는 타의 추종을 불허합니다. EAG는 탁월한 자격을 갖춘 과학자들로 구성된 전 세계적으로 가장 큰 범위의 40차 이온 질량 분석기(XNUMX개 이상)를 보유하고 있습니다. EAG는 또한 정확한 SIMS 정량화를 위한 이온 주입 및 벌크 도핑 표준의 세계 최대 참조 물질 라이브러리를 보유하고 있습니다.

SIMS의 이상적인 사용

• 도펀트 및 불순물 깊이 프로파일 링
• 박막 (금속, 유전체, SiGe, III-V 및 II-VI 재료)의 구성 및 불순물 측정
• 얕은 임플란트 및 초박막 필름의 초고 심도 해상도 프로파일 링
• Si의 B, C, O 및 N을 포함한 대량 분석
• 이온 주입기 또는 에피 택셜 반응기와 같은 공정 도구의 고정밀 매칭
  
  

장점

• ppm 이하의 검출 감도로 불순물 및 불순물에 대한 탁월한 검출
• 탁월한 검출 한계와 깊이 분해능을 갖춘 깊이 프로파일
• 소 면적 분석 (1-10 µm)
• H를 포함한 모든 원소와 동위 원소의 검출
• 탁월한 동적 범위 (최대 6 차수)
• 일부 응용에서는 화학량 론 / 조성이 가능하다.

제한 사항

파괴적인
화학 결합 정보 없음
샘플은 솔리드 및 진공 호환 가능해야합니다.

SIMS 기술 사양

• 검출신호 : 2 차 이온
• 검출원소 : 동위 원소를 포함한 HU
• 검출한계 : > 1E10 ~ 1E16 원자 / cm3
• 심도 분해능 : > 5Å
• 이미징 / 매핑 : 가능
• 평면 분해능 / 샘플링 프로브 크기 : ≥10 μm (깊이 프로파일 링); 1 μm (이미징 모드)

EAG의 SIMS 과학자는 고객의 분석 요구 사항을 이해하고 그들의 우려와 관심을 가장 효과적으로 해결하기 위해 분석을 최적화하는 데 특별히 훈련을 받고 능숙합니다. 오늘날 SIMS 분석은 연구 개발, 품질 관리, 고장 분석, 문제 해결 및 프로세스 모니터링을 위해 다양한 산업 분야의 고객을 지원하는 데 사용됩니다. EAG는 SIMS 랩 테스트 결과를 완전히 이해할 수 있도록 프로세스 전반에 걸쳐 개인 서비스를 제공합니다.

SIMS 교육자료 : 분석기기

SIMS 교육자료 : 분석이론

선택된 요소의 SIMS 감지 한계

• 다이아몬드 및 관련 자료
  
• 갈륨 비소
  
• GaN
  
• HgCdTe
  
• 인피
  
• Si와 SiO2
  
• SiC
  
• ZnO